Mikroskopa pielietojums stratēģiski jaunās nozares LED
1, Safīra substrāta materiālu ieviešana
Pateicoties safīra labajām izolācijas īpašībām, dielektriskie zudumi ir nelieli, izturība pret augstu temperatūru, izturība pret koroziju. Laba siltumvadītspēja, mehāniskā izturība ir pietiekami augsta. Un to var apstrādāt līdzenai virsmai. Pārraides josla ir plaša. Tāpēc plaši izmantots rūpniecībā, valsts aizsardzībā, zinātniskajos pētījumos daudzās jomās. Tajā pašā laikā tas ir arī labs substrāta materiāls plašam gaismas diožu klāstam. Gaismas diožu ražošanā sola kļūt par augstas spilgtuma gaismas diožu saimi no safīra substrāta substrāta ar nākamās paaudzes dienasgaismas spuldžu, pusvadītāju gaismu izstarojošo ierīču substrāta materiāliem. Šobrīd šīs augsta spilgtuma gaismas diodes ir plaši izmantotas reklāmā, luksoforos, instrumentu gaismās; un ķirurģiskās gaismas un citas jomas. Pieaugot augsta spilgtuma gaismas diožu pielietojumam.
LED safīrs (safīrs) ir alumīnija oksīda monokristāls, kas pazīstams arī kā korunds. Safīra kristālam ir lieliskas optiskās īpašības, mehāniskās īpašības un ķīmiskā stabilitāte, augsta izturība, cietība, izskalošanās izturība, var būt tuvu 2000 grādiem augsta temperatūra skarbos apstākļos. Saskaņā ar pētījumiem ir tikai četri substrāta materiāli, kurus var uzklāt uz gaismas diodēm (skat. I tabulu zemāk). Safīrs kā nozīmīgs tehnoloģiju kristāls tagad ir veidojis modernāku un nobriedušu lietojumu LED nozarē.
2. Pieteikumi
Izmantojot Leica polarizējošo mikroskopu, safīra kristālos ir iespējams noteikt patoloģisku dubultlaušanu. Noteiktos apstākļos ar konusveida gaismas mikroskopa palīdzību var novērot kristāla interferences modeli, noteikt kristāla aksialitāti, ko izmanto, lai novērotu, vai katras vafeles virziens ir vienmērīgs, lai spriestu, vai substrāts ir labs vai slikti.
Leica mikroskops, skenējošs elektronu mikroskops LED epitaksiālo plāksnīšu ražošanā, LED mikroshēmu sagatavošanas procesa lietojumprogrammas
1, LED epitaksiālās plāksnes ieviešana
LED epitaksiālās vafeļu augšanas pamatprincips ir: karsējot līdz substrāta substrāta (galvenokārt safīra un SiC, Si) temperatūrai, gāzveida viela InGaAlP kontrolē transportēšanu uz substrāta virsmu, īpaša viena kristāla plēve. Pašreizējā LED epitaksiālā plāksnīšu augšanas tehnoloģija galvenokārt izmanto organisko metālu ķīmisko tvaiku pārklāšanas metodi (MOCVD)
2, LED mikroshēmas ieviešana
LED mikroshēma, kas pazīstama arī kā LED gaismu izstarojoša mikroshēma, ir LED gaismas galvenā sastāvdaļa, ko dēvē arī par PN savienojumu. Tās galvenā funkcija ir: pārveidot elektrisko enerģiju gaismas enerģijā, mikroshēmas galvenais materiāls ir monokristālisks silīcijs. Pusvadītāju mikroshēma sastāv no divām daļām, viena daļa ir P-veida pusvadītājs, kurā dominē caurumi, otrs gals ir N-tipa pusvadītājs, šajā pusē galvenokārt elektroniskais. Bet, kad šie divi pusvadītāji ir savienoti, starp tiem veidojas PN savienojums. Kad strāva iedarbojas uz šo plāksni caur vadu, elektroni tiek virzīti uz P apgabalu, kur elektroni tiek savienoti ar caurumiem, un pēc tam enerģija tiek izstarota fotonu veidā, kas ir LED luminiscences princips. Un gaismas viļņa garumu, kas ir gaismas krāsa, nosaka PN savienojuma materiālu veidošanās.
3, pieteikums:
a) Izmantojiet SEM, lai noteiktu kristāla virsmas dislokācijas korozijas morfoloģijas informāciju pēc epitaksiālās plātnes augšanas;
Nozīme, ko nodrošina kristāla virsmas dislokācijas korozijas morfoloģija: katra parauga dislokācijas korozijai ir dažādas formas un kristāls pieder punktu grupai, un kristāla struktūru nosaka ķīmiskā korozijas līdzekļa loma ir molekulu iznīcināšana. un atomi kristālos mijiedarbojas starp saistīšanos, saistīšanas spēku mazākā, kas vispirms jāiznīcina, lai izveidotu noteiktu korozijas formu konkrētajā vietā, tātad labs attēls par korozijas koroziju. vieta ir bijusi informācija par ** atveidojumu, var pilnībā ietvert kristāla augšanas modeļa kvalitāti.
