Progress lineārā barošanas avota LDO pētījumos
Nesen profesora Mingxin pētījumu grupa no Integrētās Circuit Science and Engineering Power Integration Technology laboratorijas Power Integration Technology laboratorijas Ķīnas Elektroniskās zinātnes un tehnoloģijas universitātē publicēja izrāvienu pētījumu rezultātu mazjaudas ātrās pārejošās tehnoloģijas jomā, kurā ir zemas attieksmes lineāro regulatoru (LDOS) jomā IEEE cieto valsts aprites žurnālā.
Šī tehnoloģija var ievērojami uzlabot viedtālruņu un dronu ātrgaitas fotografēšanas veiktspēju. Tas pieņem uzlabotas slodzes strāvas atgūšanas un aktīvās skavas kontroles arhitektūru ar statisko jaudas patēriņu tikai 8,2 μ A. Tas vienlaikus var apstrādāt augstas un zemas frekvences slodzes pārejošas izmaiņas, saspiest LDO pārejošā kvalitātes koeficientu līdz 41PS un pirmo reizi sasniegt ātrāko augstfrekvences slodzes spēju augstas strāvas LDO nozarē.
Mobilās ierīces parasti izmanto no punkta uz punktu barošanas avota arhitektūru, kas sastāv no litija akumulatora, kas kaskādē vairākus bukses pārveidotājus un LDOS. Buks tiek izmantots augstas efektivitātes sprieguma samazināšanai, savukārt LDO konvertē izejas pulsācijas spriegumu buka stabilā barošanas avotā. Galvenais izaicinājums, ar kuru saskaras LDO dizains, ir tāds, ka tādām lietojumprogrammām kā zibatmiņa ar zemu ieejas spriegumu un augstas slodzes strāvu LDOS parasti izmanto N veida strāvas tranzistorus, lai samazinātu mikroshēmas laukumu un optimizētu īslaicīgu veiktspēju. Sakarā ar NMOS-LDO unikālo Drive Dead Zone problēmu, augstfrekvences slodzes pārejas var ievērojami pasliktināt īslaicīgu veiktspēju; Tajā pašā laikā ir jāsamazina LDO statiskā enerģijas patēriņš, lai pagarinātu akumulatora darbības laiku, bet neliela enerģijas patēriņa meklēšana pasliktina galveno LDO veiktspēju, piemēram, pārejošu un enerģijas nomākuma koeficientu.
Balstoties uz iepriekšminētajiem izaicinājumiem, pētījumu grupa ir izstrādājusi statisko strāvas atveseļošanos un gandrīz nulles braukšanas mirušo zonas LDO vadības arhitektūru un ierosinājusi jaunu bufera arhitektūru, lai nodrošinātu pārkraušanas uzlabotu MOS. Lai arī efektīvi virza jaudas tranzistora vārtu kapacitāti, statisko enerģijas patēriņu pilnībā atgūst ar slodzi; Aktīvo skavas ķēdi izmanto, lai ātri un precīzi saspraustu kļūdas pastiprinātāja izejas sprieguma apakšējo robežu, kad izejas spriegums ir pārsniegts, samazinot LDO diskdziņa mirušās zonas tuvu nulles stāvokli.
Izmantojot iepriekš minēto tehnoloģiju, LDO tika izstrādāta, lai sasniegtu 41P kvalitātes koeficientu, patērējot tikai 8,2 μA, savukārt izejas sprieguma svārstības augstas frekvences pārejas laikā palielinājās tikai par 40%, salīdzinot ar zemas frekvences pārejas. Salīdzinot ar starptautisko progresīvo pētījumu līmeni, tam ir ievērojamas priekšrocības ātrgaitas un mazjaudas reakcijā.
