Mūsdienās lieljaudas pusvadītāju lāzeru pielietojums aptver gandrīz visas augsto tehnoloģiju jomas, tostarp militāro aviāciju, rūpniecisko ražošanu, medicīnu un veselības aprūpi, tostarp datu glabāšanu, optisko šķiedru sakarus, lāzera drošinātāju, hologrāfisko tehnoloģiju, skenēšanas drukāšanu, izklaidi utt. Iemesls ir tā daudzo priekšrocību dēļ, piemēram, zemā cena, spēcīga integrācija, zems enerģijas patēriņš un augsta efektivitāte. 808 nm lieljaudas pusvadītāju lāzers ir sava veida pusvadītāju lāzers, kas sācies agrāk un pētīts dziļāk. Viens no tā svarīgākajiem lietojumiem ir kā sūkņa avots cietvielu lāzeriem. Tagad tas būtībā ir aizstājis tradicionālo lampas sūkņa avotu. Galvenais iemesls ir vai augstā konversijas efektivitāte, ko nevar sasniegt tradicionālā lampu sūknēšana. 905 nm lieljaudas pusvadītāju lāzeri ir nekaitīgi cilvēka acīm, tāpēc tos plaši izmanto acu lāzerterapijā, infrasarkanajā nakts redzamībā, virtuālajā realitātē un tā tālāk. Šajā dokumentā izstrādātajiem pusvadītāju lāzeriem ir liela dobuma struktūra, kas var ne tikai uzlabot katastrofālās dobuma virsmas bojājumu slieksni, bet arī nomākt augstas pakāpes režīma lāzeru. 808 nm pusvadītāju lāzera kvantu iedobē tiek izmantotas attiecīgi InAlGaAs un GaAsP, un alumīniju nesaturoša GaAsP kvantu urbuma izmantošana ir noderīga, lai uzlabotu ierīces uzticamību. 905 nm lāzers izmanto daudzaktīvā reģiona tuneļa kaskādes struktūru, kas var ievērojami uzlabot lāzera iekšējo kvantu efektivitāti. Šajā rakstā galvenokārt tiek pētīti 808 nm un 905 nm lieljaudas pusvadītāju lāzeri no šādiem aspektiem: Pirmkārt, tiek iepazīstināta ar pusvadītāju lāzeru attīstības vēsturi, pētījumu statusu un pielietojumiem. Otrkārt, ir izskaidrots epitaksiālās vafeļu augšanas iekārtu un testēšanas iekārtu darbības princips un piesardzības pasākumi. Šajā laboratorijā EMCORE D125 metālu un organisko savienojumu tvaiku pārklāšanas (MOCVD) sistēma, ko uzņēmums Vecco ASV izmanto epitaksiālai plāksnīšu augšanai. Testa aprīkojums ir Philips uzņēmuma PLM-100 optiskās fluorescences spektra pārbaudes sistēma un Accent PN44{{40}}0 elektroķīmiskais CV modelis. (ECV) pārbaudes sistēma. Pēc tam tiek ieviests tipiska saspīlēta kvantu akas pusvadītāju lāzera projektēšanas process, tostarp saspīlētās kvantu akas joslas spraugas aprēķins, joslu secības aprēķins, attiecības starp lāzera viļņa garumu un kvantu akas materiāla sastāvu un urbuma platumu. uc Simulācijā tiek izmantota Kohna-Lutingera Hamiltona pārsūtīšanas matrica. Pamatojoties uz iepriekš minēto teoriju, tika veiktas simulācijas 808nm un 905nm pusvadītāju lāzeru aktīvajam apgabalam, lai noteiktu materiāla sastāvu un kvantu urbumu urbuma platumu. 808 nm pusvadītāju lāzera kvantu iedobēs tika izmantoti attiecīgi 10 nm In0,14Al0,11Ga0,75As un 12 nm. GaAs0.84P0.16, 905nm pusvadītāju lāzera kvantu iedobē tiek izmantota 7nm In0.1Ga0.9As, un aktīvajā apgabalā ir dubultā kvantu akas struktūra. 808 nm un 905 nm pusvadītāju lāzeru barjeras slānis un viļņvada slānis ir Al0,3Ga0,7As, bet ierobežojošais slānis ir Al0,5Ga0,5As. Pamatojoties uz to, MOCVD epitaksiskā augšana tiek veikta aktīvā reģiona struktūrā, un struktūra un epitaksiskie apstākļi tiek optimizēti atbilstoši PL testa rezultātiem, un visbeidzot tiek iegūta optimizēta aktīvā reģiona struktūra. Visbeidzot, pamatojoties uz kvantu labi aktīvo reģionu pēc epitaksijas optimizācijas, palielinot viļņvada slāņa, norobežojošā slāņa, vāciņa slāņa utt. biezumu un veicot atbilstošu dopingu, struktūru epitaksiski audzē MOCVD epitaksijas sistēma, un pēc tam struktūra tiek pakļauta fotolitogrāfijai. , korozija, nogulsnēšanās, izsmidzināšana, šķelšana, pārklāšana, saķepināšana, spiediena metināšana, iepakošana un citi pēcprocesi, tiek sagatavota gatavā lāzera presforma. Veiktspējas plusi un mīnusi
